光通讯半导体激光器全球领导者II-VI Incorporated(II-VI高意)宣布推出100 Gbps磷化铟(InP)直接调制激光器(DML)，应用于高速光收发器在数据中心的部署。

400 GbE和800GbE收发器需求增长正在驱动对先进DML激光器持续的技术投资，相比于目前高速收发器所使用的电吸收调制激光器(EML)，DML拥有更低的成本和更具优势的功耗表现。II-VI高意的100 Gbps DML拥有与众不同的能力，可以在高输出功率和低功耗的前提下实现领先的调制速率和信号完整。因此，II-VI高意DML芯片比EML更适合基于100Gbps光通道的400GbE和800 GbE光收发器。

II-VI高意磷化铟器件事业部副总裁Charlie Roxlo博士表示：“嵌入式直接调制激光器是一种非常先进的技术，我们的早期研究成果于2021年1月发表在《自然光子学》杂志上，我们实现这一突破性的成果的原因是得益于多年的研发投资和广泛的内部多学科半导体激光物理学家团队的深厚专业知识、高速射频模拟IC设计人员和收发器专家。”

II-VI高意新型DML芯片的研制是基于公司世界级、高可靠的InP技术平台，该平台在过去十年里获得超过100万颗激光器芯片实际部署，是业内少数几个经受验证的技术平台之一。II-VI高意DML的低功耗特点和面向非气密性封装的设计是今天可插拔收发器和未来共封装(co-packaged)解决方案理想的选择。

II-VI高意广泛的InP芯片产品包括FP激光器、DML、EML和可调谐激光器，以及应用于高速接收器和功率监控的光电二极管产品。这些芯片适用于Lan-WDM和CWDM波长计划。